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國立勤益科技大學 電機工程系 張隆益所指導 林育進的 GRNN為基礎之感應馬達無量測器向量控制研究 (2019),提出寧茂變頻器關鍵因素是什麼,來自於感應馬達、向量控制、無量測器速度控制、GRNN神經網路。

而第二篇論文國立臺北科技大學 電機工程系 黃明熙所指導 吳泓祁的 探討SiC MOSFET建構之驅動器對永磁同步伺服馬達驅動特性之影響 (2018),提出因為有 碳化矽功率晶體、雙脈衝測試器、空白時間、電流迴路頻寬、永磁同步馬達的重點而找出了 寧茂變頻器的解答。

最後網站寧茂企業股份有限公司 - 正體版則補充:當回升電壓過高時,控制器動態剎車控制單元啟動,以防止回升電壓過高導致變頻器損壞 3. 內建提供上控電源24W 採用JST XH 2.54端子提供一組12VDC,2A的電源供上控使用

接下來讓我們看這些論文和書籍都說些什麼吧:

除了寧茂變頻器,大家也想知道這些:

GRNN為基礎之感應馬達無量測器向量控制研究

為了解決寧茂變頻器的問題,作者林育進 這樣論述:

本論文主要提出以廣義迴歸神經網路(General Regression Neural Network,GRNN)來實現無量測器向量控制感應馬達驅動器,建立GRNN神經網路轉速辨識系統,使用估測轉速代替傳統轉子回授訊號,主要針對感應馬達(Induction Motor, IM)速度控制。本論文利用傳統的向量控制感應馬達,其轉子回授訊號再對GRNN神經網路進行離線訓練,訓練完成後即可對感應馬達進行無量測器向量控制。藉由MATLAB/Simulink及PC-Based馬達控制即時發展系統模擬與實作其控制系統,以驗證本論文所提出之方法不僅提升系統準確度、可行性及正確性,並降低系統設置成本。

探討SiC MOSFET建構之驅動器對永磁同步伺服馬達驅動特性之影響

為了解決寧茂變頻器的問題,作者吳泓祁 這樣論述:

SiC MOSFET具有高頻切換、低逆向恢復時間及低切換損失等特性,故本論文以SiC MOSFET建構馬達驅動系統之功率級,研究以SiC MOSFET建構之驅動器對永磁同步伺服馬達之控制特性。首先使用雙脈衝測試模組(Double Pulse Tester)探討SiC MOSFET與IGBT之切換特性,做為評估SiC MOSFET之最短空白時間、閘極驅動電路設計、切換損失估測與逆向回復特性,隨後以寧茂變頻器16kHz切換頻率與 空白時間做為比較基準,驗證較高切換頻率對於電流迴路頻寬與速度迴路頻寬等動態響應特性之影響。最後,針對使用低解析度編碼器之永磁同步馬達,提出低速採用同步機運轉原理做為控制

依據以提高低速控制穩定度。所有之測試皆以數位訊號處理器TMS320F28075做為控制核心之馬達驅動器來完成,測試結果驗證所提方法之有效性。