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寄生電容量測的問題，透過圖書和論文來找解法和答案更準確安心。 我們找到下列懶人包和總整理
寄生電容量測的問題，我們搜遍了碩博士論文和台灣出版的書籍，推薦高曜煌寫的 射頻技術在行動通訊的應用(第二版) 和郭浩中、賴芳儀、郭守義的 LED原理與應用(3版)都 可以從中找到所需的評價。
另外網站提升並聯使用氮化功率元件可靠度- 電子技術設計 - EDN Taiwan也說明：進一步了解GaN HEMT的參數和特性，才能找出合適量測的方法及確保可以安全地使用GaN HEMT。有別於矽MOSFET元件，GaN HEMT的等效寄生電容相對小，如果使用 ...
這兩本書分別來自全華圖書 和五南所出版 。
國立暨南國際大學 電機工程學系 陳建亨所指導 陳俊源的 垂直式氧化銦鎵鋅薄膜電晶體之研究 （2018），提出寄生電容量測關鍵因素是什麼，來自於垂直式薄膜電晶體、氧化銦鎵鋅。
而第二篇論文國立交通大學 機械工程系所 成維華、鄭時龍所指導 吳至強的 依據電氣參數特性以均勻篩選串疊型氮化鎵 場效電晶體之方法研究 （2017），提出因為有 氮化鎵場效電晶體、電性量測、閘極驅動器、電性特性模型、均勻度篩選的重點而找出了 寄生電容量測的解答。
最後網站電容測量數據- 人人焦點則補充：寄生的含義就是本來沒有在那個地方設計電容，但由於布線之間總是有互容，互容就好像是寄生在布線之間的一樣，所以叫寄生電容，又稱雜散電容。 寄生電容 ...
射頻技術在行動通訊的應用(第二版)
為了解決寄生電容量測 的問題，作者高曜煌 這樣論述：
射頻電路的設計及性能表現與通訊理論及製程息息相關，然而傳統的射頻電路設計書籍較少考量數位通訊的需求，造成初學者門檻加大，因此本書的目的是彌補傳統的高頻電路設計與行動通訊需求的落差，使有志於從事射頻技術的讀者能很輕易的進入這個領域。從學生就業觀點而言，學習射頻技術有兩方向，一是射頻積體電路設計工程師，另一是射頻系統工程師，本書目標是針對後者希望培養解決問題的能力所以在書中較強調系統概念。對工程師而言，當然希望將每個規格都做到最好，然而射頻電路的設計常受到多個參數互相影響，射頻元件的寄生對電路性能的影響常需要做折衷，本書著重參數之間設計最佳化的折衷，亦強調傅利葉分析的重要性
。各大積體電路有很多深入的設計資訊會發表在IEEE科學文獻中，作者將過去幾年所收集的資料作有系統整理呈現，特別是在射頻系統設計的考量方面。 本書特色 1.作者將過去幾年所收集的各大積體電路中，有很多深入的設計資訊作有系統整理呈現，特別是在系統設計的考量方面。 2.本書在射頻模組的撰寫方式上，採用行為模型表示，省略詳細電路設計，特別著重參數的大小及非線性根由，這對使用軟體模擬很有幫助。 3.本書在第一章特別介紹蜂巢式頻率重覆使用概念及無線行動通訊的特點。 4.本書在第四章特別介紹被動元件與寄生效應，且探討寄生效應對組成的LC電路影響。 5.本章再第六章介紹信號產生
器、頻譜儀、網路分析儀及雜訊指數儀等構成基本原理，使學者能正確使用量測設備。
垂直式氧化銦鎵鋅薄膜電晶體之研究
為了解決寄生電容量測 的問題，作者陳俊源 這樣論述：
本論文研究垂直式 氧化銦鎵鋅薄膜電晶體，進行理論探討、元件設計、製作與量測。不同於一般垂直結構，設計出多個通道及雙邊閘極結構，改善電晶體效能；使用鉬金屬製作元件各電極，並利用濺鍍方式沉積氧化銦鎵鋅作為元件主動層，在整體氣體流量不變的情況下調整氧流量至3%和5%，並對薄膜進行分析，且沉積25至100nm的氧化銦鎵鋅薄膜探討對元件電性之影響，也改變製程順序製作兩種結構降低元件寄生電容的產生。 經過霍爾量測，氧化銦鎵鋅薄膜載子濃度為7.34×1015至 1.32×1018cm-3；鍍膜經過250℃退火表面粗糙度為(RMS) 6.454nm；也使用SEM量測元件剖面圖，成功製作出top
-contact多通道垂直薄膜電晶體。
LED原理與應用(3版)
為了解決寄生電容量測 的問題，作者郭浩中、賴芳儀、郭守義 這樣論述：
在節能與環保的新世代，白光 LED 因省電低耗與輕薄短小，又可製作為液晶顯示器背光板，LED已然成為照明領域一顆璀璨之星。現今，在光學、材料、機械與電子等學科領域，以白光 LED 與高亮度 LED 為主要發展方向，相信若 LED 能取代現有的照明光源，會為全球能源產業帶來新一波的革命。 本書介紹發光二極體的基礎知識、原理及應用，並配合圖片清晰明瞭解說。全書共分為六個章節：第一章發光二極體發展歷史與半導體概念；第二章發光二極體的原理；第三章發光二極體磊晶技術介紹；第四章發光二極體的結構與設計；第五章發光二極體相關色度學；第六章發光二極體的應用。 本書可作為大學與技術學院光電、
電子、電機、材料、機械、能源、應物與應化等系所教科書，亦可適用於業界的工程師、研發人員與管理階層學習參考，同時對LED有興趣之讀者朋友也適合閱讀。 本書特色 ◎適用於LED工程師認證考試或大專教科書 ◎資料最新、範圍最廣，文字精益求精，彩色圖表漂亮清晰 ◎新版增加最熱門的白光LED組成與封裝技術&習題解答 作者簡介 郭浩中 現職： 國立交通大學光電工程學系教授 學歷： 美國伊利諾大學香檳分校(UIUC)電機博士 經歷： 華星光通科技股份有限公司雷射部門經理 安捷倫科技光纖通訊部門資深研究員 伊利諾大學香檳分校化合物半導體及微電子中心研究助理 Lucent Techn
ology Bell Laboratory貝爾實驗室異質接面半導體部研究助理 賴芳儀 現職： 元智大學電機工程學系助理教授 學歷： 國立交通大學光電工程博士 郭守義 學歷： 國立交通大學光電工程博士 現職： 長庚大學電子工程學系助理教授
依據電氣參數特性以均勻篩選串疊型氮化鎵 場效電晶體之方法研究
為了解決寄生電容量測 的問題，作者吳至強 這樣論述：
本研究檢測氮化鎵場效電晶體之輸出電性特性。電性特性量測包含輸出特性曲線(IDS-VDS)、臨限電壓(IDS-VGS)及功率寄生電容(C-VDS)的量測。透過輸出特性曲線量測可以檢知功率電晶體最大飽和電流、轉角電壓及導通電阻等特性；臨限電壓量測可以檢知多少閘極偏壓下能使功率電晶體導通；寄生電容量測則可以得知功率電晶體寄生電容影響功率電晶體的開關切換速度。量測的電性特性規格建立在參考市售加強型、空乏型的金屬氧化物半導體場效電晶體及加強型氮化鎵場效電晶體。比較目前加強型氮化鎵場效電晶體及交大實驗室所研發空乏型氮化鎵場效電晶體之輸出電性特性。透過建立一套標準規格的電性量測可以提供設計上所需的必要資訊
，並可將量測的電性參數建立至元件等效電路模型以模擬實際電路。高功率的輸出應用勢必需並聯多個功率晶體，因此晶體的電性萃取、參數的差異篩選及電性特性模型建立對於晶體的並聯均流在功率系統中是一門相當重要的議題。透過提出了一種隔離閘極驅動器檢測方法，從電晶體關斷的阻抗能力得以篩選元件的均勻性。此外，基於測量的電氣特性建立了氮化鎵場效電晶體的等效電路模型，並通過實驗驗證，提出了一種使用實驗參數萃取所建立的串疊型封裝之氮化鎵場效應晶體的簡單行為模型，採用LTspice模擬軟體比較實驗切換結果，模擬結果與實驗結果吻合。