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半導體製程課程的問題，透過圖書和論文來找解法和答案更準確安心。 我們找到下列懶人包和總整理
半導體製程課程的問題，我們搜遍了碩博士論文和台灣出版的書籍，推薦鍾文仁、陳佑任寫的 IC封裝製程與CAE應用(第三版) 可以從中找到所需的評價。
國立清華大學 化學系 季昀所指導 郭慧通的 混合四配位二價銅錯合物的合成及其在化學氣相沉積的應用 （2003），提出半導體製程課程關鍵因素是什麼，來自於混合四配位二價銅錯合物的合成及其在化學氣相沉積的應用。
IC封裝製程與CAE應用(第三版)
為了解決半導體製程課程 的問題，作者鍾文仁、陳佑任 這樣論述：
本書除了對IC封裝類型、材料、製程、新世代技術有深入淺出的介紹外，針對電腦輔助工程(Computer-Aided Engineering，CAE) 的應用有更詳細的描述；從IC封裝製程(晶圓切割、封膠、聯線技術..)、IC元件的介紹(PLCC、QFP、BGA..)、MCM等封裝技術到CAE工程分析應用在IC封裝，能使讀者在IC封裝製程的領域有更多的收獲！本書適合大學、科大電子、電機系"半導體製程"課程或相關業界人士及有興趣之讀者使用。 本書特色 1.提供一完整IC封裝資訊的中文圖書。 2.提供IC封裝產業及其先進封裝技術的學習。 3.使讀者了解CAE工程在IC封裝製程的相關應用
。 4.適用於大學、科大電子、電機系「半導體製程」課程或相關業界人士及有興趣之讀者。 1 前 言 1-1 封裝的目的[1]1-1 1-2 封裝的技術層級區分1-2 1-3 封裝的分類1-4 1-4 IC封裝技術簡介1-4 1-5 IC封裝的發展[4]1-5 2 IC封裝製程 2-1 晶圓切割(Wafer Saw)2-1 2-2 晶片黏結2-3 2-3 聯線技術2-5 2-3-1 打線接合(Wire Bonding)2-6 2-3-2 卷帶自動接合(Tape Automated Bonding，TAB)[6][7]2-11 2-3-3 覆晶接合(Flip Chip，FC)2-13 2-4
封膠(Molding)2-15 2-5 剪切 / 成型(Trim/Form)2-17 2-6 印字(Mark)2-18 2-7 檢測(Inspection)2-19 3 IC元件的分類 / 介紹 3-1 封裝外型標準化的機構[1]3-1 3-2 IC元件標準化的定義3-4 3-2-1 依封裝中組合的IC晶片數目來分類3-4 3-2-2 依封裝的材料來分類3-4 3-2-3 依IC元件與電路板接合方式分類3-6 3-2-4 依引腳分佈型態分類3-7 3-2-5 依封裝形貌與內部結構分類3-9 3-3 IC元件的介紹3-11 3-3-1 DIP3-11 3-3-2 SIP3-13 3-3-3 P
GA3-14 3-3-4 SOP3-14 3-3-5 SOJ3-15 3-3-6 PLCC3-15 3-3-7 QFP3-16 3-3-8 BGA3-17 3-3-9 FC3-17 4 封裝材料的介紹 4-1 封膠材料4-1 4-1-1 陶瓷材料4-1 4-1-2 固態封模材料(Epoxy Molding Compound，EMC)[1][2]4-2 4-1-3 液態封止材料(Liquid Encapsulant)[3]4-6 4-1-4 封裝材料市場分析與技術現況[4]4-9 4-2 導線架4-10 4-2-1 導線架的材料[5][6]4-11 4-2-2 導線架的製造程序4-12 4-2-
3 導線架的特性與技術現況[7]4-17 4-3 基 板4-18 4-3-1 基板的材料[8]4-19 4-3-2 基板的製造程序[7][8]4-20 4-3-3 基板的特性與技術現況[4][7]4-23 5 新世代的封裝技術 5-1 MCM (Multi-Chip Module)5-1 5-1-1 多晶片模組的定義與分類5-3 5-1-2 多晶片模組的發展現況5-7 5-2 LOC (Lead-on-Chip)5-7 5-2-1 LOC的封裝方式5-8 5-2-2 LOC封裝的製程5-9 5-3 BGA (Ball Grid Array)5-11 5-3-1 BGA的定義、分類與結構5-12
5-3-2 BGA的優異性5-18 5-3-3 技術趨勢和未來發展5-20 5-4 FC (Flip Chip)5-21 5-4-1 凸塊接點製作5-24 5-4-2 覆晶接合5-33 5-4-3 底部填膠製程(Underfill)5-35 5-5 CSP (Chip Scale Package)5-37 5-5-1 CSP的構造5-38 5-5-2 CSP的製作方法5-40 5-5-3 CSP的特性5-42 5-5-4 CSP的發展現況5-44 5-6 COF(Chip on Flex or Chip on Film)5-46 5-6-1 COF的優點5-47 5-6-2 COF的缺點5-
49 5-6-3 COF的現況與發展5-49 5-7 COG(Chip on Glass)5-50 5-7-1 驅動IC構裝技術的介紹5-51 5-7-2 COG技術應用的關鍵材料5-52 5-7-3 目前COG的發展課題5-58 5-7-4 未來展望5-61 5-7-5 結論5-63 5-8 三次元封裝 (3 Dimensional Package)5-63 5-8-1 三次元封裝的特色及封裝分類5-64 5-8-2 三次元封裝技術的介紹5-70 5-8-3 三次元封裝技術的應用和發展5-72 6 IC封裝的挑戰 / 發展 6-1 封裝缺陷的預防6-1 6-1-1 金線偏移問題6-1 6-1
-2 翹曲變形問題6-3 6-1-3 其他封裝缺陷6-4 6-2 封裝材料的要求和技術發展6-6 6-2-1 黏晶材料6-7 6-2-2 封膠材料[2][3]6-7 6-2-3 導線架、基板的技術發展[6]6-12 6-3 散熱問題的規劃[7][8][9][10]6-14 6-3-1 IC熱傳基本特性6-15 6-3-2 IC熱阻量測技術與應用6-17 6-3-3 散熱片(Heat Sink)的應用6-24 6-3-4 熱管(Heat Pipe)的應用6-32 6-3-5 印刷電路板(PCB)之散熱技術6-34 6-3-6 新型散熱技術之發展6-43 6-3-7 3組不同封裝型態的高密度元件熱
傳改善探討6-45 6-3-8 結 論6-50 7 CAE在IC封裝製程的應用 7-1 CAE簡介7-2 7-2 CAE的理論基礎7-2 7-3 封裝製程的模具設計7-4 7-4 封裝製程的模流分析[7][8][9]7-4 7-5 封裝製程的可靠度分析7-10 7-5-1 熱應力與溫度分佈的探討7-10 7-5-2 金線偏移的預測7-10 7-5-3 翹曲變形的分析[14]7-15 7-5-4 錫球疲勞壽命的計算[15][16]7-21 7-5-5 錫球裂紋成長的分析7-24 7-5-6 覆晶底膠(Underfill)充填分析7-25 7-6 CAE工程分析應用在IC封裝製程的案例介紹7-30
7-6-1 模流分析案例I：SAMPO_BGA 436L [9]7-30 7-6-2 模流分析案例II：SPIL_BGA 492L [9][36]7-37 7-6-3 模流分析案例III：SPIL_QFP 208L [9]7-46 7-6-4 金線偏移分析案例：SPIL_BGA 492L [9][36]7-55 7-6-5 翹曲變形分析案例：SAMPO_BGA 436L [14]7-58 7-6-6 翹曲變形分析案例：FCBGA7-71 7-6-7 疲勞壽命分析案例7-79 7-6-8 無鉛錫球在溫度循環試驗下之可靠度評估7-83 7-6-9 Underfill分析案例I：錫球數量和凸塊配置
對充填流動的探討7-95 7-6-10 Underfill分析案例II7-113 7-7 結 論7-130 8 電子封裝辭彙 8-1 專業術語8-1 A IC導線架之自動化繪圖系統 A-1 軟體簡介附A-1 A-2 佈線區域理論和參數化附A-2 A-2-1 佈線區域理論附A-2 A-2-2 佈線區域參數化附A-3 A-3 自動規劃佈線區域之準則附A-4 A-3-1 主區域的選取與搜尋附A-5 A-3-2 內引腳端點位置的搜尋與計算附A-6 A-3-3 次區域的規劃附A-7 A-3-4 金線之計算與繪製附A-8 A-4 案例研究附A-9 A-4-1 DIP 24 pins附A-10 A-4-2
QFP型附A-17 A-5 研究成果附A-22 A-6 未來展望附A-23 B 金線偏移分析軟體 B-1 軟體簡介附B-1 B-2 CAE分析資料的匯入附B-3 B-3 金線資料的輸入附B-4 B-3-1 金線材料性質的定義附B-4 B-3-2 模穴參考幾何中心的定義附B-5 B-3-3 金線幾何座標的輸入附B-7 B-3-4 Fit Curve的繪製附B-9 B-3-5 實際金線偏移量的輸入和顯示附B-11 B-4 金線偏移量的計算附B-13 B-4-1 CAE網格資料的擷取附B-14 B-4-2 Gapwise Information附B-14 B-4-3 Calculated In
formation附B-15 B-4-4 金線偏移量的計算結果附B-16 B-4-5 擷取網格位置的顯示附B-16 B-4-6 Circular Arch公式解的計算附B-18 B-5 分析結果的整合與匯出附B-18 B-5-1 ANSYS Log檔的輸出附B-18 B-5-2 金線偏移趨勢的繪出附B-21 B-6 未來展望附B-22
半導體製程課程進入發燒排行的影片
未來若擔任市長，將全力與中央部會協調，協助解決包括橋頭科學園區所需的24公頃土地在內的相關問題，也會積極推動相關的公共建設與場地整建，希望能夠加速腳步，在希望說在明年底就能夠讓廠商選地、開始建廠。
從台南到高雄的高科技走廊，從台積電到日月光、華邦，對半導體先進製程來講，台灣可以是先進技術的頂尖領先者，成為全世界最有價值的半導體產業聚落。希望藉由日月光在先進半導體製程裡面的智慧製造、因應5G未來發展等技術，讓其他高雄傳統產業能夠進行數位轉型，創造更多優質的就業機會。
相關的高階人才培育跟青年就業，我過去在行政院服務時，積極推動的措施，包括高職跟產業聚落對接、科技大學跟研究型大學與各公協會對接等，都同步進行。
期許國際大廠，能加速跟高雄的大學進行更密切的產學合作，在大學裡面開設相關課程，讓更多高雄人可以在高雄就業，也在高雄增加更多高端技術的優質就業機會。
混合四配位二價銅錯合物的合成及其在化學氣相沉積的應用
為了解決半導體製程課程 的問題，作者郭慧通 這樣論述：
由於銅金屬具有低電阻及良好的電子遷移阻抗性與應力誘導遷移性，所以用銅金屬作為導線的元件可以承受更密集的電路排列，因而大幅減少所需的金屬層數目，進而降低生產成本和提昇訊號傳遞速度，所以在IC 產業中已經漸漸取代鎢及鋁的金屬導線製程。基於此我們合成了一系列的混合型四配位二價銅錯合物來作為銅金屬化學氣相沉積 (CVD) 的前驅物。此系列的四配位二價銅錯合物是混合四配位含β- 戊二酮 (β-diketonate) 及醇胺類(aminoalcoholate) 配位基的二價銅金屬錯合物，β-戊二酮是用六氟戊二酮，藉由改變醇胺類配位基上的醇官能團及胺官能團上的取代基，進一步來探討錯合物的一些物理及化學的性
質並用來進行Cu CVD 實驗。以此系列的化合物作為CVD 前驅物時可以在載流氣體為氬氣，溫度區間在300 ~ 375℃時於Si(100)基版上鍍出銅膜。所有鍍製出來的薄膜皆用掃描式電子顯微鏡(SEM) 、四點探針 (four-point probe) 、X-ray 粉末繞射 (XRD) 及電子能譜儀(ESCA) 等材料分析儀器來進行分析和鑑定；而由結果我們得知薄膜純度最高可達96%以上，而電阻係數為6.7 µΩ-cm 已接近銅塊材的1.67 µΩ-cm。