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國立陽明交通大學 光電工程研究所 盧廷昌所指導 簡廷維的 石墨烯-絕緣層-金屬結構之閘極電壓調變表面電漿子奈米雷射之研究 （2021），提出半導體製程導論pdf關鍵因素是什麼，來自於奈米雷射、表面電漿子、石墨烯、電晶體、光電積體電路。
而第二篇論文中原大學 化學工程學系 魏大欽所指導 趙廷儒的 以電漿化學氣相沉積法製備氮化矽薄膜之二維反應器模型設計與分析 （2021），提出因為有 電漿化學氣相沉積、氮化矽、鍍膜均勻性的重點而找出了 半導體製程導論pdf的解答。
石墨烯-絕緣層-金屬結構之閘極電壓調變表面電漿子奈米雷射之研究
為了解決半導體製程導論pdf 的問題，作者簡廷維 這樣論述：
摘要 IABSTRACT II致謝 IV圖目錄 VII1. 第一章 緒論 11.1 光電積體電路(PHOTONIC INTEGRATED CIRCUITS, PICS) 11.2 雷射簡介 21.3 表面電漿子簡介 51.4 石墨烯簡介 151.5 動機(MOTIVATION) 202. 第二章 樣品製程 232.1 總覽 232.2 MBE單晶鋁磊晶 242.3 雷射切割 252.4 第一道光罩與鋁蝕刻 252.5 第二道光罩與P
ECVD 272.6 ALD(原子層沉積) 282.7 石墨烯轉移 292.8 第三道光罩與E-GUN製程 322.9 BONDING製程 342.10 氧化鋅奈米線轉移 353. 第三章 量測架設 373.1 拉曼光譜量測系統 373.2 顯微螢光激發系統 384. 第四章 量測結果與討論 394.1 樣品電性 394.2 拉曼量測與理論探討 414.3 低溫(77K)量測結果 424.4 常溫(300K)量測結果 464.5 7NM樣本常溫(300K)
量測結果 494.6 改善工作與討論 525. 第五章 結論 536. 第六章 未來展望 547. 參考資料 55
以電漿化學氣相沉積法製備氮化矽薄膜之二維反應器模型設計與分析
為了解決半導體製程導論pdf 的問題，作者趙廷儒 這樣論述：
本研究為製備氮化矽薄膜之電漿化學氣相沉積之二維模型分析，為了解決鍍膜速率在晶圓邊緣處突然上升造成鍍膜均勻性下降的問題，建立了五種不同腔體條件的模型，再導入二維模擬，改變不同的操作參數，探討不同參數下能否改善整體鍍膜的均勻性。首先利用本實驗室先前學長所建立的模型及反應機制，發現鍍膜速率在晶圓邊緣處會有上升的情形，造成整體鍍膜均勻性下降，推測鍍膜均勻性受上電極以及進氣盤尺寸影響，所以重新繪製新的網格模型，針對上電極和進氣盤尺寸，將模型修改成五種不同的腔體構造，主要為上電極尺寸的改變，以及進氣盤和上電極相對位置的改變。接著將上述五種模型用CFD-ACE+進行二維的模擬，為了使模型在各種參數下能夠有
相同的趨勢，因此改變氮氣、SiH4以及操作壓力，再和原始的模型進行比對，探討氣相物種濃度的二維分布和鍍膜速率分布對膜均勻性的影響，並提出增加鍍膜均勻性的方法。發現同時縮短上電極和進氣盤的尺寸能夠使整體鍍膜的均勻性提高一點，但是鍍膜速率會略為下降；而只縮小進氣盤尺寸則會發現相比於同時縮小上電極及進氣盤尺寸時的鍍膜均勻性會更大幅提升，且鍍膜速率也並沒有下降太多，由於進氣盤尺寸較小，導致擴散至出口的距離較長，所以鍍膜粒子較不容易在轉角處累積，因此可以減少鍍膜速率飆升。