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明新科技大學 管理研究所碩士在職專班 顧鴻壽所指導 譚惠文的 動態隨機存取記憶體智慧財產專利研究分析 （2017），提出創見ddr4 3200關鍵因素是什麼，來自於動態隨機存取記憶體、三維矽穿孔、立體堆疊封裝、專利分析、專利權、中國DRMA專利。
而第二篇論文國立交通大學 管理學院科技管理學程 洪志洋所指導 邱珮雯的 記憶體模組商競合策略分析-以K公司為例 （2015），提出因為有 記憶體模組、供應鏈、競合策略的重點而找出了 創見ddr4 3200的解答。
動態隨機存取記憶體智慧財產專利研究分析
為了解決創見ddr4 3200 的問題，作者譚惠文 這樣論述：
目前動態隨機存取記憶體(Dynamic Random Access Memory,DRAM)的應用市場有電腦、先進駕駛輔助系統、人工智慧、無人駕駛車、雲端大數據、網通、行動裝置、物聯網和企業級的線上交易等領域，因此加速對DRAM等記憶體元件有大量的需求，由於DRAM廠商的技術，近年來正在從2D平面製程轉換至3D垂直堆疊製程，在品質良率上的控制還有待於技術及降低製造成本上的突破。本論文將透過 M-Trends 專利分析平台，針對DRAM三維矽穿孔封裝(DRAM 3D through silicon via package,3D TSV)進行基本資料檢索並分析其專利分類技術等 歷年發展的情
況趨勢來分析。本研究結果發現，全球DRAM三維矽穿孔封裝專利件數從2007年至2018年之間，申請總件數為115件，並在2012年專利申請總件數攀升到最高峰為20件，從2013年到2017年之間，專利申請總件數是63件，趨勢開始往下進入衰退期，DRAM專利數量減少的原因，可能表示現階段的技術能力或材料方面，已經碰到瓶頸階段，並非DRAM產品需求減少，因為在全球DRAM市場應用方面，也預估將從2014年的229億美元市場規模大幅成長到2018年的996億美元。就中國市場的DRAM三維矽穿孔封裝專利件數，從2008年至2018年5月之間，申請總件數為67件。其中國市場在DRAM 3D TSV專利競
爭上，第一名是美國美光公司16件，第二名是美國英特爾公司13件，第三名則是韓國三星公司10件，期許未來高知識產業能在研發方面，善用專利分析來探索DRAM產業相關的技術，並提供台灣DRAM廠商未來技術的發展趨勢及其獲利的的策略參考。
記憶體模組商競合策略分析-以K公司為例
為了解決創見ddr4 3200 的問題，作者邱珮雯 這樣論述：
記憶體模組產業在近十幾年來，在現代科技發展一直扮演著非常重要的角色， 由於DRAM模組、Flash產品與SSD等產品之規格多已標準化，所以記憶體模組產業競爭者多，且記憶體供應商在對記憶體模組廠商供貨之餘，也會生產DRAM模組、FLASH產品、SSD等產品，因此幾乎每家記憶體模組廠商所生產的記憶體相關產品種類皆類似，此外，記憶體供應商也加入戰場，使得記憶體模組產業的競爭非常激烈。本研究對記憶體模組產業進行分析，並在記憶體供應商為寡占市場、記憶體顆粒波動變化大、產品規格標準化與產品類別重複的情況下，以K公司作為個案研究對象，輔以記憶體模組產業專家訪談，探討記憶體模組廠商如何對上游供應商與下游客戶
群採取對應策略。經過資料統整與分析之後，本研究對記憶體模組業者在供應鏈的競合策略提出以下建議：打入新市場並開發替代來源、專注經營通路以區隔市場、採取多角化經營、有效的存貨管理、保持彈性並快速的面對變動、與供應鏈保持良好的競合關係。關鍵字：記憶體模組、供應鏈、競合策略