元晶400w的問題，透過圖書和論文來找解法和答案更準確安心。 我們找到下列懶人包和總整理

聚光型太陽能陣列於不同遮蔽狀況下並聯旁路二極體或加入均壓線之效益比較

為了解決元晶400w的問題，作者林志家 這樣論述：

太陽能電池模組容易受到外在的因素影響，其中遮蔽的出現又不可預期，因此在太陽能陣列中使用旁路二極體或均壓線來保護太陽能電池，旁路二極體和均壓線能解決輸出電流無法導通的問題。本研究實測在太陽能陣列中並聯旁路二極體或加入均壓線的效益，在2×3陣列和3×2陣列的太陽能電池都有聚光且受到不同的遮蔽情形下，讓兩種陣列並聯旁路二極體或加入均壓線，之後相互比較各陣列在不同情形下的輸出功率變化。最後證實在2×3陣列中無遮蔽狀況下功率最高的是加入均壓線的陣列，2×3陣列要遮蔽2塊以上的太陽能電池，並聯旁路二極體的陣列功率才能夠超過都不加的陣列和加入均壓線的陣列。而3×2的陣列則是並聯旁路二極體的陣列都為功率最高

的陣列。

結合有限元素與分子動力學模擬鈦奈米粉體之微選擇性雷射熔融製程

為了解決元晶400w的問題，作者陳玉祥 這樣論述：

由於實現了設計自由與減輕繁重的加工步驟，近來使用積層製造(additive manufacturing, AM)在生產幾何複雜零件的技術日益成熟並逐漸普及。其中微選擇性雷射熔融(micro-selective laser melting, μ-SLM)於高精密微型組件之製造展現了其獨特之應用潛力與價值。由於μ-SLM製程的燒結和固化特徵發生在非常小的空間尺度與超快的時間尺度，以實驗探測糾纏其中的微觀機理極為困難，因此有關於靶材表面雷射能量之沉積、載子熱傳(包含電子與聲子)、金屬團簇之燒熔與光力學塑性行為，至今仍是SLM技術尚未完全清楚之關鍵環節。本研究採用有限元素法結合分子動力學建立了一準三

維的μ-SLM模擬模型，探討奈米鈦金屬粉體的雷射燒熔和固化機制，透過時間和空間上的溫度控制來實現近似熔池的局部加熱和固化模擬，有系統的採用各種雷射功率(300~500W)、粉體粒徑(包含三種單一尺寸粒徑8~12nm及一種隨機分佈粒徑5.6~12nm)及冷卻速率(3.2~10K/ps) 分析微選擇性雷射熔融之最佳化參數，藉以提升金屬積層製造技術之發展。 模擬結果顯示，雷射光能在鈦粉體床靶材沉積，熱能迅速使固態的光斑部位升溫，由於Ti晶體的BCC(β-Ti)相在高於轉變溫度Tc的溫度區域比HCP(α-Ti)相更加穩定，在1155 K時HCP相變化為BCC相。而典型的固化過程由熔池邊緣形成最初的BC

C奈米晶核，隨著非諧性的聲子熱傳逐漸冷卻將固液界面由熔池邊緣向中心推進，大部分未配位的非晶態結構在大約1670 K時首先凝固成穩定的BCC相，其中一部分之BCC在冷卻至常溫的過程相變化為HCP與部分的攣晶界。冷卻速率對於熔池固化的成核與晶格結構的成長過程有著關鍵性的影響。在較慢的冷卻速率(3.2K/ps)下有利於熔池區域未配位之非晶組織固化為均質的BCC奈米晶鈦；而較快的冷卻速率(10K/ps)則易在熔池中形成額外的晶核，有益於固化時晶粒之細化與等軸晶粒之成長。粉末粒徑與雷射燒熔的緻密度密切相關，8nm與10nm粒徑在完成雷射燒熔製程後緻密度皆在94%以上，而其中8nm粒徑的粉體床射入400W

功率之雷射並以3.2K/ps速率冷卻的製程條件下，所產生的雷射燒熔組織之緻密度最高(i.e.,ρ_c=94.71%)。