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乾蝕刻設備的問題，透過圖書和論文來找解法和答案更準確安心。 我們找到下列懶人包和總整理
乾蝕刻設備的問題，我們搜遍了碩博士論文和台灣出版的書籍，推薦柯賢文 寫的 表面與薄膜處理技術(第四版) 和李克駿,李克慧,李明逵的 半導體製程概論(第四版)都 可以從中找到所需的評價。
另外網站全自動視覺檢測設備代理、及協助LED(PSS、Chip Process)也說明：干蚀刻 机(ICP)承载盘(ICP Tray或者Shuttle Quality )在ICP for PSS(Pattern sapphire substance) 制程具重要性的承载容器，具有较佳的均匀性(uniformity)及耐蚀刻性。
這兩本書分別來自全華圖書 和全華圖書所出版 。
國立陽明交通大學 光電學院光電科技學程 郭政煌所指導 邱雨潔的 乾蝕刻技術於磷化鋁銦鎵材料開發 （2021），提出乾蝕刻設備關鍵因素是什麼，來自於乾蝕刻、磷化鋁銦鎵。
而第二篇論文國立中山大學 光電工程學系研究所 洪勇智所指導 吳昌易的 繞射光柵結構於擴增實境的應用 （2020），提出因為有 重新定向光柵、漸變佔空比光柵、輸出耦合器、雷射干涉系統、輸入耦合器、閃耀光柵、漸變深度光柵的重點而找出了 乾蝕刻設備的解答。
最後網站乾蝕刻製程技術 - 弗侖斯系統股份有限公司則補充：機台: ULVC 3000 乾蝕刻機. Gas system: SF6, CF4 製程: • Silicon oxide etch • Silicon nitride etch • Polymer discumm. ◇ 感應耦合電漿反應式離子矽深蝕刻
表面與薄膜處理技術(第四版)
為了解決乾蝕刻設備 的問題，作者柯賢文 這樣論述：
固體材料的表面問題既已發展成一非常多樣化的科技，很多出版的參考書籍以專題深入探討或以工具書出現，不易為初學者所接受，也不適宜當教材之用。因此作者就重要的問題分成十二章討論。這十二章的結構實際上可以看成五個部份，第一部份為基礎篇，這些都是乾式氣相表面處理最常面臨的技術。第二部份為氣相技術篇，乃常見的乾式氣相表面處理技術。第三部份為液相技術篇，亦即最傳統的表面處理技術，包括無極鍍、化成、取代及電鍍和電鑄，陽極處理實際上相等於電化學反應的化成作用。第四部份為薄膜篇，包括薄膜的成長及微結構、薄膜的特性及量測。第五部份為前瞻篇，它們已脫離常見表面技術的章節，其中有微機電系統、奈米技術及表面的物理
化學性質。本書適合大學、科大、技術學院機械工程、電機、電子材料、化學工程科系『薄膜技術』課程使用。 本書特色 1.固體材料的表面問題已發展成一非常多樣化的科技，本書內容以深入淺出的方式表達，使其成為最適宜的教材。 2.作者就重要問題分成十二章討論，共分為五大部分為；基礎篇、氣相技術篇、液相技術篇、薄膜篇與前瞻篇，內容精選，整理完善。 3.適合大學、科大、技術學院機械工程、電機、電子材料、化學工程科系『薄膜技術』課程使用。
乾蝕刻技術於磷化鋁銦鎵材料開發
為了解決乾蝕刻設備 的問題，作者邱雨潔 這樣論述：
本論文研究題目為乾蝕刻技術於AlGaInP材料，並透過End Point Detector精準將AlGaInP蝕刻於製程所需之深度。蝕刻製程參數包含上部及下部RF power、Susceptor Temperature、製程壓力及製程氣體流量，收集數據及觀察結果，找出最佳的蝕刻參數與結果。收集End Point Detector訊號，並開發出數學運算式，使Endpoint訊號可以反饋精準控制蝕刻深度。最佳的實驗結果如下所示：蝕刻率566nm/min、蝕刻角度74˚以及AlGaInP/SiO2選擇比9.0。也順利地處理End Point Detector訊號，從四個波長中挑選出波長417 nm
的Ga訊號，經過一連串的數學運算，為取平均、Normalize及微分，再加上運算式後成功抓取Endpoint，並準確地蝕刻至GaP層。
半導體製程概論(第四版)
為了解決乾蝕刻設備 的問題，作者李克駿,李克慧,李明逵 這樣論述：
全書分為五篇，第一篇(1～3章)探討半導體材料之基本特性，從矽半導體晶體結構開始，到半導體物理之物理概念與能帶做完整的解說。第二篇(4～9章)說明積體電路使用的基礎元件與先進奈米元件。第三篇(10～24章)說明積體電路的製程。第四篇(25～26章)說明積體電路的故障與檢測。第五篇(27～28章)說明積體電路製程潔淨控制與安全。全書通用於大專院校電子、電機科系「半導體製程」或「半導體製程技術」課程作為教材。 本書特色 1.深入淺出說明半導體元件物理和積體電路結構、原理及製程。 2.從矽導體之物理概念開始，一直到半導體結構、能帶作完整的解說，使讀者學習到全盤知識
。 3.圖片清晰，使讀者一目瞭然更容易理解。 4.適用於大學、科大電子、電機系「半導體製程」或「半導體製程技術」課程或相關業界人士及有興趣之讀者。
繞射光柵結構於擴增實境的應用
為了解決乾蝕刻設備 的問題，作者吳昌易 這樣論述：
本論文使用雷射干涉（LIL）技術和多樣蝕刻技術於矽基板上製作三種表面浮雕光柵結構，分別是閃耀光柵、漸變佔空比光柵與漸變深度光柵。我們將上述表面浮雕光柵應用於奈米壓印蝕刻的模具，實現擴增實境(AR)之光聚合物波導耦合器。本論文閃耀光柵以平坦化雷射干涉系統與濕式蝕刻製程，獲得22.5度與85度之非對稱閃耀光柵，其對應之最佳繞射效率為12.82%和3.18%，並應用於輸入耦合器。漸變深度光柵以平坦化雷射干涉系統與多重乾蝕刻技術，實現54〜116 nm的梯度蝕刻深度與55.6度光柵轉角，作為重定向耦合器。漸變佔空比光柵以高斯雷涉干涉系統與乾蝕刻製作，其漸變範圍為72%~35%佔空比與12.9度光柵轉
角，並將其應用於輸出耦合器。藉由將光柵圖形轉移到光聚合物薄膜上並將三種光柵結構組裝成一組波導組合器，所得到的波導組合器顯示出光柵結構可應用於綠光波段。