主機 板 LDAC的問題，透過圖書和論文來找解法和答案更準確安心。 我們找到下列懶人包和總整理

嵌入式系統

為了解決主機 板 LDAC的問題，作者張軍朝 這樣論述：

介紹了嵌入式系統的基礎知識、嵌入式語言基礎、嵌入式系統應用設備、嵌入式硬體與固件的設計、開發步驟和案例，以及嵌入式系統的應用等。第1章和第2章介紹了嵌入式系統的基本知識。第3章介紹了嵌入式的語言基礎。第4～8章介紹了有關嵌入式硬體與固件設計的進階知識，對於嵌入式系統的實踐工程師來說，這些知識是非常有幫助的。第9～12章說明了嵌入式系統設計的應用環境及案例，該章的內容對實踐工程師和專案經理都是有益的。每章內容講述得比較詳細，並使用簡明的文字說明以及表格、圖例來闡明相應概念。 每章的末尾均有總結，概括了該章的知識。為了方便學生在實驗室也能進行相關的實驗，本書還在第13章提供了實驗指導。本書還介紹

了微控制器與ARM處理器，列舉了貼近實際的最新嵌入式設計案例。本書從元件技術的視角出發，講述了嵌入式系統的基本原理和技術。全書每一章涵蓋一個專題，包括與嵌入式系統設計相關的若干主要內容，如指令系統、CPU、開發平臺、程式設計與分析、進程和作業系統等。本書特別適合作為電腦、軟體工程、電子資訊、通信工程、物聯網工程、自動化、電氣工程及其自動化、機電一體化、儀器儀錶及相關專業高年級本科生和研究生的教材，也適合相關的工程技術人員參考。 前言 第1章 概述 1.1 嵌入式系統簡介 1.1.1 嵌入式系統的歷史發展 1.1.2 嵌入式系統的定義 1.1.3 嵌入式系統的分類 1.1.

4 嵌入式系統的特點 1.1.5 嵌入式系統的組成 1.1.6 嵌入式系統的應用 1.1.7 嵌入式系統的發展趨勢 1.1.8 嵌入式系統的學習 1.2 嵌入式微處理器 1.2.1 處理器的基本組成 1.2.2 嵌入式微處理器的特點 1.2.3 兩種處理器架構 1.2.4 嵌入式微處理器的分類 1.2.5 嵌入式微處理器的技術指標 1.2.6 嵌入式微處理器的選型 1.2.7嵌入式微處理器的發展方向 1.3 嵌入 式作業系統 1.3.1 嵌入式作業系統的概念 1.3.2 嵌入式作業系統的分類 1.3.3 嵌入式作業系統的特性 1.3.4 經典的嵌入式作業系統 1.4 本書結構 1.5 小結 1

.6 複習思考題 第2章 處理器和架構 2.1 ARM處理器概述 2.2 ARM9處理器架構 2.2.1 ARM9處理器簡介 2.2.2 ARM9系列技術特點 2.2.3 ARM9結構及特點 2.2.4 ARM9與ARM7的比較 2.3 ARM9處理器的記憶體管理 2.3.1 記憶體管理單元(MMU)概述 2.3.2 MMU位址映射的實現 2.3.3 輔助處理器 2.3.4 設置 2.4 ARM9異常處理 2.5 Cortex-A15介紹 2.6 小結 2.7 複習思考題 第3章 嵌入式語言基礎 3.1 虛擬指令 3.1.1 符號定義虛擬指令 3.1.2 資料定義虛擬指令 3.1.3 彙編

控制虛擬指令 3.1.4 巨集指令 3.1.5 其他常用的虛擬指令 3.2 ARM組合語言 3.2.1 ARM組合語言常用符號 3.2.2 ARM組合語言運算式和運算子 3.2.3 ARM組合語言程式結構 3.2.4 ARM組合語言的副程式調用 3.2.5 ARM指令的定址方式 3.2.6 ARM指令簡介 3.2.7 Thumb指令簡介 3.3 嵌入式C語言 3.3.1 C語言簡介 3.3.2 簡單C語言程式的構成 3.4 ARM組合語言與c/c++的混合程式設計 3.4.1 C程式調用組合語言程式 3.4.2 組合語言程式調用C程式 3.4.3 實例分析 3.5 小結 3.6 複習思考題

第4章 嵌入式Linux作業系統基礎 4.1 嵌入式Linux概述 4.1.1 常見的嵌入式Lmux系統 4.1.2 嵌入式Linux的版本控制 4.1.3 嵌入式Linux的優勢 4.2 嵌入式Linux作業系統啟動 4.2.1 使用bootloader將內核映射載入 4.2.2 內核資料結構初始化 4.2.3 外設初始化 4.2.4 內核執行init進程 4.2.5 Shell的啟動 4.3 ARM-Linux記憶體管理 4.3.1 記憶體管理單(MMU) 4.3.2 ARM-Linux的存儲管理機制 4.3.3 ARM-Linux對進程虛擬空間的管理 4.4 ARM-Linux進程管理和

調度 4.4.1 Linux下進程的結構 4.4.2 Linux的進程調度 4.5 ARM-Linux的模組機制 4.5.1 Linux模組概述 4.5.2 模組的載入 4.5.3 模組的卸載 4.6 ARM-Linux的中斷管理 4.7 嵌入式Unux檔案系統 4.7.1 Linux檔案系統簡介 4.7.2 虛擬檔案系統 4.7.3 常見的嵌入式檔案系統 4.8 小結 4.9 複習思考題 第5章 嵌入式設備 5.1 嵌入式設備概述 5.2 LED 5.3 鍵盤 5.3.1 傳統鍵盤的介紹 5.3.2 新型鍵盤的硬體和軟體實現原理 5.4 ADC/DAC 5.4.1 ADC 5.4.2 DA

C 5.5 RS．232 5.6 RS485 5.7 觸控式螢幕 5.8 LCD 5.8.1 LCD原理綜述 5.8.2 LCD的驅動方式 5.9 SD卡 5.9.1 SD模式 5.9.2 SPI模式 5.10 IC卡 5.10.1 IC卡的定義 5.10.2 IC卡的分類 5.10.3接觸式IC卡 5.10.4 IC卡的優點 5.11 5.11.1 RFID的基本組成 5.11.2分類 5.11.3 RFID基本原理 5.11.4 RFID的特性 5.12 Z 5.12.1 Zigbee技術基礎 5.12.2 Zigbee的節點 5.12.3 Zigbee技術的特點 5.13 WiFi 5.

14 藍牙 5.14.1 射頻特性 5.14.2 TDMA結構 5.14.3 使用跳頻技術 5.14.4 藍牙設備的組網 5.14.5 軟體的層次結構 5.15 GPRS 5.16 小結 5. 17 複習思考題 第6章 感測器 6.1 感測器概述 6.1.1 感測器的定義 6.1.2 感測器的分類 6.1.3 感測器的特性 6.2 感測器原理及應用 6.2.1 感測器的組成 6.2.2 感測器的應用 6.3 驗證語音、筆跡和指紋等特徵的傳感技術 6.3.1 AVVS型驗證語音和筆跡的裝置 6.3.2 語音驗證系統 6.3.3 用於身份驗證的壓電筆 6.3.4 簽字驗證書寫台 6.3.5 指紋

自動識別儀 6.4 小結 6.5 複習思考題 第7章 嵌入式介面 7.1 嵌入式介面概述 7.1.1 介面功能 7.1.2 介面結構 7.1.3 介面資料傳輸方式 7.1.4 介面設計的一般方法 7.2 嵌入式匯流排 7.2.1 匯流排及匯流排分類 7.2.2 嵌入式系統匯流排的層次結構 7.2.3 衡量匯流排的參數 7.3 GPIO介面 7.3.1 GPIO概述 7.3.2 CPIO的引腳描述 7.3.3 GPIO的寄存器描述 7.3.4 GPIO的構成 7.3.5 GPIO的工作模式 7.3.6 CPIO的優點 7.4 SPI匯流排 7.4.1 SPI匯流排概述 7.4.2 SPI匯流排

的工作原理 7.4.3 SPI匯流排的內部結構 7.4.4 SPI匯流排的特點 7.4.5 SPI匯流排的應用 7.5 12C匯流排 7.5.1 12C匯流排概述 7.5.2 12C匯流排的工作過程 7.5.3 12C匯流排的內部結構 7.6 12S匯流排 7.6.1 12S匯流排概述 7.6.2 12S匯流排的工作過程 7.6.3 12S匯流排的內部結構 7.7 小結 7.8 複習思考題 第8章 嵌入式設備驅動設計 8.1 嵌入式設備驅動設計概述 8.1.1 設備的分類及特點 8.1.2 設備檔及設備號 8.1.3 與其他模組的關係 8.1.4 如何使用模組機制 8.1.5 sysfs虛擬

檔案系統 8.1.6 Linux內核設備模型 8.1.7 Linux內核驅動模型 8.2 字元設備驅動設計 8.2.1 設備驅動舉例 8.2.2 相關的資料結構以及操作介紹 8.2.3 增加字元設備驅動的功能 8.3 塊設備驅動設計 一 8.3.1 塊設備的I/O特點 8.3.2 塊設備的相關概念 8.3.3 塊設備驅動舉例 8.3.4 與塊設備相關的資料結構 8.3.5 改變塊驅動程式設計 8.4 其他設備驅動 8.4.1 網路設備驅動 8.4.2 Flash設備驅動 8.4.3 Android系統驅動 8.5 小結 8.6 複習思考題 第9章 嵌入式開發環境 9.1 交叉開發環境概述 9

.1.1 宿主機與目標板的連接方式 9.1.2 檔案傳輸 9.1.3 宿主機環境 9.1.4 交叉編譯工具鏈 9.1.5 嵌入式軟體發展流程 9.2 IAR EWARM整合式開發環境 9.2.1 IAR EWARM創建應用程式 9.2.2 測試應用程式 9.3 Keil整合式開發環境 9.3.1 創建應用程式 9.3.2 測試應用程式 9.4 嵌入式系統開發流程 9.5 小結 9.6 複習思考題 第10章 圖形介面程式設計 10.1 嵌入式圖形程式設計概述 10.1.1 Linux圖形開發基礎 10.1.2 嵌入式Linux圖形化使用者介面簡介 10.2 Qt程式設計基礎 10.2.1 Qt

/Embedded概述 10.2.2 創建Qt/Embedded程式設計環境 10.2.3 Qt Creator介紹 10.3 Qt程式設計實例 10.3.1 實現功能 10.3.2 實現原理 10.3.3 實現過程 10.4 MiniGUI程式設計基礎 10.4.1 事件驅動程式設計 10.4.2 MiniGUI的三種運行模式 10.4.3 運行模式適用範圍 10.4.4 MiniGUI進程 10.5 MiniGUI程式設計實例 10.5.1 標頭檔 10.5.2 程式入口點 10.5.3 加入層 10.5.4 創建和顯示主視窗 10.5.5 進入消息迴圈 10.5.6 視窗過程函數 10.

5.7 螢幕輸出 10.5.8 程式的退出 10.6 小結 10.7 複習思考題 第11章 Android應用 11.1 Android概述 11.1.1 Android背景介紹 11.1.2 Android的系統構架 11.1.3 Android應用程式框架 11.1.4 0MS介紹 11.2 Android開發環境搭建 11.2.1 相關軟體的下載與安裝 11.2.2 虛擬裝置的創建和使用 11.3 Android應用開發 11.4 Android應用開發擴展 11.5 小結 11.6 複習思考題 第12章 樓宇供能智慧控制系統應用案例 12.1 中央空調監測控制子系統 12.1.1

現場考察及用戶意見總結 12.1.2 技術方案 12.1.3 設備選型 12.1.4 中央空調監測控制子系統結構圖 12.2 給排水監測控制子系統 12.2.1 給排水系統主要架構 12.2.2 給排水系統實現功能 12.2.3 給排水系統改造方案 12.2.4 感測器選型 12.3 供配電監測控制子系統 12.3.1 供配電系統改造整體方案 12.3.2 改造後供配電系統的主要功能 12.3.3 供配電系統具體改造方案 12.4 系統整體架構 12.5 軟體應用系統 12.5.1 能耗監測資料採集功能模組 12.5.2 能耗監測資料分析功能模組 12.5.3 能耗監測智慧決策功能模組 12.

5.4 能耗監測遠端控制功能模組 12.5.5 系統擴展功能 12.6 工程施工內容 12.6.1 通信網路構建及設備安裝 12.6.2 系統供電 12.6.3 接地 12.7 系統特點 12.8 效益分析 第13章 嵌入式系統實驗指導 13.1 實驗大綱 13.2 物聯網嵌入式閘道平臺搭建 13.3 CC2530基礎實驗-LED閃爍 13.4 CC2530基礎實驗——按鍵輪詢 13.5 CC2530基礎實驗-LED、電機控制實驗 參考文獻

積體電路與微機電產業

為了解決主機 板 LDAC的問題，作者曲威光  這樣論述：

　　1958年美商德州儀器公司的科學家Jack Kilby製作出全球第一顆「積體電路(IC：Integrated Circuit)」，造就了半個世紀以來電子產業的篷勃發展，到了1990年代，開始有科學家把機械元件與光學元件，整合積體電路製作成單一晶片，稱為「微機電系統(MEMS：Micro Electro Mechanical Systems)」，最近由於人機介面(HMI：Human Machine Interface)的發展，微機電系統(MEMS)扮演愈來愈重要的角色，包括微加速度計、微陀螺儀、微地磁計、微機電系統麥克風、微機電系統射頻等，成為新興的科技產業，後來進入2000年代，微

製造產業突飛猛進，尺寸愈來愈小，才發展出「奈米科技(Nanotechnology)」，本書將由淺入深介紹積體電路、微機電系統、奈米科技等相關的技術原理與發展趨勢。

前瞻式金氧半場效電晶體之隨機電報訊號分析與熱載子劣化研究

為了解決主機 板 LDAC的問題，作者陳慶恩 這樣論述：

在CMOS技術的演進，近年來分為兩個方向，第一個方向為延續Moore定律，持續地在元件尺寸方面進行微縮(More Moore)，另一方向則是在於增加功能的多樣性，將不同功能之元件，從原本於主機板做整合，轉由在封裝或是晶片階段時做整合，稱為More than Moore。在More Moore部分，隨著CMOS元件尺寸的微縮，在通道中，單顆載子對元件特性的影響越來越明顯，隨機電報訊號(Random Telegraph Signal, RTS)則是元件中的缺陷，捕捉/放射通道中的單顆或數顆載子，並進一步影響元件電性的結果。由於當元件持續在微縮時，RTS對於電性的影響比例逐漸增加，近年來成為研究的

主流題目。另外，在More than Moore的發展部分，其包含了眾多不同功能的元件，如RF、高壓元件、CMOS image sensor等，而在高壓元件部分，因為其操作偏壓較高，在熱載子的可靠度部分則是研究重點。因此我們在第一部分主要利用汲極電流的RTS(ID-RTS)，對partially-depleted的silicon-on-insulator(PD SOI)元件中的缺陷之物理位置進行研究。首先，在閘極氧化層厚度約為1奈米的元件，因為反轉層的量子效應對於等效氧化層厚度的貢獻越顯重要，所以在萃取缺陷的垂直位置時，須先計算出最高的反轉電子濃度距離SiO2與Si的位置，之後，將此距離考慮至

等效氧化層厚度中，並利用平均捕捉時間與平均放射時間的比例(/)對閘極電壓(VG)的線性斜率，得到氧化層缺陷距離SiO2與Si介面為4 Å。在另一個氧化層厚度為10 nm之元件中，我們觀察到在介於弱反轉與強反轉區之間的中度反轉區有明顯兩階的ID-RTS，先藉由不同的汲極電壓與溫度下的汲極電流分析，確認出RTS對應的汲極電流為擴散電流主導，由於在擴散電流下，靠近源極與汲極端的通道電位分別只對源極與汲極電壓有明顯相關性，之後利用此特性以及交換通道左右兩邊電壓和Shockley-Read-Hall (SRH) model，比較載子捕捉時間以及對應的電流變化量，會觀察到載子捕捉時間以及電流變化量，當橫向

電壓施加在源極端時會較高，並且載子捕捉時間僅對源極電壓有正相關的關係，因此可得到缺陷的橫向位置為靠近源極端。另外，當VG從中度反轉區增加至強反轉區時，觀察到兩階的ID-RTS變為三階的ID-RTS，在這邊我們提出一個新的分析方式，藉由在交換通道左右兩邊電壓前後，於第二階的平均時間隨VG的變化，進一步得到對應的兩個缺陷橫向位置的座落區域，並且，缺陷的座落區域也可透過基於SRH model的計算來證實。第二部分則是在high-k/metal gate元件中的ID-RTS研究，首先利用/對VG的線性斜率，得到在兩個元件中的缺陷，分別位於HfO2中以及在HfO2和SiO2的介面。之後利用不同溫度下的I

D-RTS以及先前文獻的相關公式，得到缺陷的數種物理特性，包含缺陷的捕捉與放射的活化能(ECT與EB)、缺陷放射出載子前後之熵的變化量(S)、以及在缺陷捕捉/放射載子的過程中藉由多聲子放射理論(multiphonon emission theory)得到的晶格鬆弛能量(Erelax)。而我們觀察到這些物理特性隨VG的變化不同於以往在相同萃取方式下，使用傳統二氧化矽作為氧化層的元件所得到的結果。在S部分，其VG的相關性主要是在HfO2中，被捕獲之電子在越大的閘極電壓越不易放射至反轉通道中，進而使S與閘極電壓成反相關性。另外，在EB與Erelax部分，與傳統元件中的差異主要來自於HfO2層中

所主導的氧化層缺陷(氧空缺)，其晶格震盪模式會因HfO2中，不同的Fermi-level位置(對應不同的VG)而改變，因此，根據multiphonon emission theory，我們會觀察到Erelax與EB隨VG有不同的變化，這部分我們也利用兩個不同的high-k元件(HfO2和Hf1-xZrxO2)來驗證這些物理特性隨VG的變化機制。最後，在高壓元件p型雙擴散汲極(Double Diffused Drain, DDD) MOSFETs部分，其元件於熱載子裂化實驗後，有從源極流至汲極的漏電流(off-current)，但是元件的基本特性，如臨界電壓與次臨界擺幅並無明顯的變動，而藉由IV

特性與不同接法的charge pumping量測，得知主要的裂化區域位在汲極端的閘極與p型DDD重疊區域。在off-current的產生機制部分，由於off-current與熱載子裂化實驗中的n型井之逆偏壓有正相關性，並且透過ISE-TCAD的3D元件電場分佈模擬，得知在汲極端的淺溝渠隔離(shallow trench isolation, STI)邊緣之電場比在通道中央的強，另外，在STI內有一層薄SiN存在，所以推測off-current的產生，是因靠近STI的汲極端表面較強之電場，產生出較多或較高能量之電子，其後受到汲極端與n型井之間強電場(ED,BULK)影響，加速至底下的n型井區域，

而經由ED,BULK加速而得到能量的電子，因為其位置較接近STI(即在通道寬度方向的兩側)，具較高能量的電子就有機會被捕捉至STI的SiN層中，並且，因為ED,BULK的方向有部分指向源極端，使電子捕捉的情況會從汲極端往源極端延伸，進而在表面電流底下形成off-current的路徑。之後，我們利用ISE-TCAD的3D元件電性模擬以及不對稱元件結構，驗證off-current路徑是在距離表面最大空乏區以外之處。另外，也利用裂化前後在不同接法的charge pumping電流比較，驗證off-current路徑的形成，並且，透過不同STI製程的元件，驗證STI中的SiN層為off-current

產生的來源。