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恩惠外衣下的剝削：論勞務對價性、經常性給與及恩惠性給與之工資爭議

為了解決"轉換的問題，作者李思嫺 這樣論述：

工資制度一直被視為國家重要的勞工政策，是以保障勞工基本生活為宗旨；另一方面，工資也是勞動成本，攸關雇主之盈餘。然工資認定影響株連甚廣，我國舉凡退休金、加班費、請假、資遣費、職業災害補償…，都是以屬於勞動基準法中之「經常性給與」做為平均工資的計算基準。而另一方面，「恩惠性給與」的增加，則將降低上述隱形工資給付，勞工的權益也連帶被剝削。勞基法將工資定義爲：「勞工因工作而獲得之報酬。包括工資、薪金及按計時、計日、計月、計件以現金或實物等方式給付之獎金、津貼及其他任何名義之經常性給與均屬之。」。然而過去我國學說、司法與行政上對於勞基法工資定義要件「勞工因工作而獲得之報酬」及「經常性給與」一直保有不同

之觀念。經研究後發現，勞動基準法中之「經常性給與」要件，乃造成工資爭論之主因。最後期許本文於勞務對價性、經常性給與及恩惠性給與之工資爭議下之結論及建議能改善勞動法制規範，以增進我國勞雇工資法制完備性，並解決長期之工資爭議問題，促使勞方、雇主、政方共創三贏目標。

氫化非晶氧化矽薄膜對矽異質接面太陽電池之鈍化效應

為了解決"轉換的問題，作者莊奇穎 這樣論述：

本論文採用電漿輔助化學氣相沉積系統(Plasma-enhanced chemical vapor deposition: PECVD)，以調變射頻功率、CO2/SiH4¬氣體比例(RCO2)來製作本質氫化非晶氧化矽(i-a-SiOx:H)薄膜，研討以不同光學能隙的i-a-SiOx:H薄膜所製作的單本質鈍化層及與氫化非晶矽(a-Si:H)薄膜組合做不同厚度配比的雙本質鈍化層之矽異質接面(Heterojunction with intrinsic thin layer: HIT)太陽電池的光電特性。單本質鈍化層的HIT電池結構為Al/TCO/p-a-SiC:H/i-a-SiOx:H/n-c-Si

/i-a-SiOx:H/n-a-Si:H/Al，而雙本質鈍化層的電池結構為Al/TCO/p-a-SiC:H/i2-a-Si:H/i1-a-SiOx:H/n-c-Si/i1-a-SiOx:H/i2-a-Si:H/n-a-Si:H/Al。i-a-SiOx:H單層膜的製作分為系列一：固定電漿功率10 W，將RCO2之控制範圍為0.1至0.5，系列二：固定RCO2為0.1及0.2，調變電漿功率為6、10及15 W。薄膜的結構特性以傅立葉轉換紅外線光譜(FTIR)測量及分析其氫含量(CH)與氧含量(CO)。光學特性以橢圓偏光儀(SE)分析厚度(T)、能隙(Eg)、折射率(n)、吸收係數(α)及介電常數(

ε)。系列一隨著RCO2從0.1增加到0.5，氧含量(CO)及能隙(Eg)上升，氫含量(CH)、折射率(n)、吸收係數()及介電常數虛部(2)峰值降低。RCO2於0.5時，得到最高之能隙(Eg = 2.02 eV)薄膜。系列二隨著電漿功率下降，氧含量(CO)及能隙(Eg)下降，氫含量(CH)、折射率(n)、吸收係數()及介電常數虛部(2)峰值增加，得到最低之能隙(Eg = 1.82 eV)薄膜。以氫稀釋比 RH = 20 條件下製作厚度8nm i-a-Si:H 薄膜的單本質層HIT太陽電池。能隙為1.73 eV、折射率4.13 (n632nm)、介電常數虛數26.00之緻密度較佳的i-

a-Si:H薄膜，可以有效的減少載子在薄膜中被復合的機率，使用其做為對照組，並選擇能隙1.82 eV及能隙2.02 eV 的i-a-SiOx:H薄膜作為單本質層HIT電池做為實驗組。使用高緻密度i-a-Si:H電池的複合及漏電流較小，導致短路電流(Jsc)以及填充因子(FF)高於使用i-a-SiOx:H做為鈍化層之太陽電池。而使用能隙2.02 eV薄膜製作之太陽電池因能隙較高的關係，導致開路電壓(Voc)高於能隙1.82 eV的a-SiOx:H及a-Si:H製作之HIT太陽電池。 雙本質層製作是將能隙2.02 eV或1.82 eV為4 nm的i1a-SiOx:H薄膜上，再沉積一層4 nm 厚

度之 i2-a-Si:H 薄膜的太陽電池，因高緻密度i2-a-Si:H薄膜的披覆，使其複合及漏電流減少，比能隙2.02 eV或1.82 eV a-SiOx:H為8 nm之單本質層太陽電池有更好的Jsc及FF，其Jsc值從13.01、24.12 上升至26.36、35.58 mA/cm2，FF值從32.17、40.41%上升至47.83、52.49%，且維持一定的Voc。 以i1-a-SiOx:H/i2-a-Si:H厚度配比4nm/4nm、3nm/5nm、2nm/6nm、1nm/7nm製作雙本質層HIT太陽電池，當 i1-a-SiOx:H/i2-a-Si:H厚度配比為4nm/4nm，擁有最高之

Voc，其值為0.496 V，當 i1-a-SiOx:H/i2-a-Si:H厚度配比為1nm/7nm，擁有最高之Jsc，其值為31.18 mA/cm2。當i1-a-SiOx:H/i2-a-Si:H厚度配比為2nm/6nm，擁有最高之FF及效率，其值為56.91%及8.65%。 提升HIT電池的Voc應選用高能隙2.02 eV 的i-a-SiOx:H薄膜，而提升Jsc及FF應選用緻密度較高，介電常數虛數26.00 的i-a-Si:H薄膜。使用i1-a-SiOx:H沉積於矽基板上，再沉積i2-a-Si:H薄膜的雙本質層結構，可提高HIT太陽電池效率。