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國立陽明交通大學 光電工程研究所 郭浩中、高宗聖所指導 張雅婷的 高功率及低基板損耗氮化鋁鎵/氮化鎵高速電子遷移率電晶體製作於 SOI 基板之研究與分析 （2021），提出ef 85mm f/1.4l is us關鍵因素是什麼，來自於氮化鎵、高速電子遷移率電晶體、SOI基板、翹曲現象、磊晶品質、高功率元件、高頻元件。
而第二篇論文長庚科技大學 林口校區護理系碩士在職專班 巫菲翎所指導 陳慕貞的 平鎮地區糖尿病前期盛行率及其相關因子探討 （2020），提出因為有 糖尿病前期、次級資料分析、社區整合性預防篩檢的重點而找出了 ef 85mm f/1.4l is us的解答。
高功率及低基板損耗氮化鋁鎵/氮化鎵高速電子遷移率電晶體製作於 SOI 基板之研究與分析
為了解決ef 85mm f/1.4l is us 的問題，作者張雅婷 這樣論述：
在本論文中，我們展示了 AlGaN/GaN HEMT 製作於絕緣層上覆矽(Silicon-On-Insulator, SOI) 基板；並證明高濃度的硼(Boron)摻雜在SOI 的操作晶圓(Handle wafer)中可提高機械強度，使基板有更高的楊氏係數(Young's coefficient)和硬度(Hardness)值。由於重摻雜 SOI 基板具有更大的機械強度，磊晶過程中晶片的曲率變化顯著降低，從而大幅改善翹曲效應(Bowing effect)，進而使 AlGaN/GaN 磊晶品質得到優化，並由 X 射線衍射光譜 (XRD)數值證明。而後，我們在重摻雜及輕摻雜的 SOI 基板上分別建
立的功率(Power)和射頻(RF)元件，可以發現基於磊晶品質的優化，差排缺陷密度(Dislocation density)的減少，元件在優化後的基板具有更好的直流性能，包括斷態洩漏(Off-state leakage)、導通電流(On current)、電導(gm) 以及崩潰電壓(Breakdown voltage)；可靠度表現也得到優化。在小信號表現上，元件在重參雜的SOI 基板上更適合操作於 10 GHz 頻率範圍內；在此範圍內，元件的功率增益和基板的 CPW 損耗都相較輕摻雜的 SOI 基板表現更好。重摻雜基板上的元件而在大信號操作下提供了更佳的結果，在 2.4 GHz頻段中功率轉換效
率(PAE) >50%且最大輸出功率(Pout)達到 2.57 W/mm，是目前 HEMTs 製作於 SOI 基板中最好的結果。這意味著通過在重摻雜 SOI 基板不僅可以減少彎曲效應，而且可以提高元件在高功率高頻應用的性能。
平鎮地區糖尿病前期盛行率及其相關因子探討
為了解決ef 85mm f/1.4l is us 的問題，作者陳慕貞 這樣論述：
研究背景：台灣糖尿病前期盛行率高達35.8%，推估約有650萬人，此階段若未獲得良好的改善，將來得到糖尿病的機率相當高。研究目的：探討糖尿病前期盛行率以及人口學特性、生活型態、健康狀態及生化檢驗相關因子對糖尿病前期的影響。研究方法：本研究以橫斷式研究法，採取2012-2017年6年間聯新國際醫院世代研究資料庫資料，選擇最後一次糖化血色素(HbA1c)檢驗結果為5.7-6.4%之糖尿病前期者及研究期間HbA1c6.4%個案及有糖尿病病史者。使用統計軟體SPSS 25.0進行次級資料分析，統計方法有描述性分析、卡方檢定、獨立樣本t檢定、羅吉斯迴歸分析。研究結果：研究對象共3,496人，符合糖尿病
前期者共1,712人。糖尿病前期盛行率為45.46 %，其中男性盛行率48.58%，女性盛行率49.26%，盛行率隨著年齡增加而升高。糖尿病前期者以教育程度於國中(含)以下、客家族群、無職業者居多，相較於非糖尿病前期者在身體質量數、腰圍、腰臀比、收縮壓、舒張壓及檢驗值的CHOL、HDL、LDL、BUN、Cr、GPT、CRP等較為偏高情形。糖尿病前期者有高血壓、心臟病、高血脂、氣喘等個人疾病史及婦女使用(或曾經使用)避孕藥情形皆高於非糖尿病前期者，且達顯著差異。年齡、BMI、高血脂、GPT、高血壓、腰圍等6個變項為糖尿病前期重要危險因子，可解釋總變異量為12.8%。結論：糖尿病前期者於中高年齡者
居多，早期預防能降低糖尿病前期風險。建議高危險族群規則治療慢性疾病、定期追蹤血壓、血糖、膽固醇及肝指數等檢驗變化，且加強體重控制。